哈默纳科半导体电子谐波CSG-32-100-2UH

轰击扩散镀层法、动态反冲法以及离子束混合法等，从而使得离子注入加工技术的应用更为广泛。

   离子注入在半导体方面的应用，目前已很普遍。哈默纳科半导体电子谐波CSG-32-100-2UH它是将硼、磷等“杂质"离子注入半导体，从而改变导电型式〔P型或N型)，以制造一些通常用热扩散难以获得的各种特殊要求的半导体器件。由于离子注入的浓度、深度和注入区域均可精确控制，所以成为制作半导体器件和大面积集成电路的重要手段。

   离子注入表面改性是离子注入加工技术应用的另一个重要领域。离子注入可用以改变金属表面的物理化学性能，可以制得新的合金，从而改善金属表面的耐磨性能、耐腐蚀性能、抗疲劳性能和润滑性能等，

   离子注入可以改善金属材料的耐磨性能哈默纳科半导体电子谐波CSG-32-100-2UH。如在低碳钢中注入N, B, Mo等元素以后，在磨损过程中，材料表面局部温升形成温度梯度，使注入离子向衬底扩散。这样不断在表面形成硬化层，提高了材料的耐磨性能。

   离子注入可以提高金属材料的硬度。这是因为注入离子及其凝聚物将引起材料晶格畸变、缺陷增多的缘故。如在纯铁中注入B，其显微硬度可提高20 %。将硅注入铁，可形成马氏体结构的强化层