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集成电路制造工艺

更新时间:2020-10-19   点击次数:1269次

芯片厂中通常分为扩散区、光刻区、刻蚀区、离子注入区、薄膜生长区和抛光区6个生产区域:

扩散区是进行高温工艺及薄膜积淀的区域,主要设备是高温炉和湿法清洗设备;

②光刻区是芯片制造的心脏区域,使用黄色荧光管照明,目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上;  

③刻蚀工艺是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下的图形;

④离子注入是用高压和磁场来控制和加速带着要掺杂的杂质的气体;高能杂质离子穿透涂胶硅片的表面,形成目标硅片;

⑤薄膜生长主要负责生产各个步骤中的介质层与金属层的淀积。

⑥抛光,即CMP(化学机械平坦化)工艺的目的是使硅片表面平坦化。