半导体中的干蚀刻如何理解

干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆(plasma)来进行半导体薄膜材料的蚀刻加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性*，均能达成蚀刻的目的。 干蚀刻基本上包括「离子轰击」(ion-bombardment)与「化学反应」(chemicalreaction)两部份蚀刻机制。偏「离子轰击」效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏「化学反应」效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。 干蚀刻法可直接利用光阻作蚀刻之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高蚀刻率两种优点，换言之，本技术中所谓「活性离子蚀刻」(reactiveionetch；RIE)已足敷「次微米」线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。